Microscopi Elettronici ad Alto e Basso Vuoto
Microscopi elettronici ad alto e basso vuoto.
VEGA3
Microscopi SEM Termoionici (W, LaB6)
Ampia gamma di microscopi elettronici a scansione termoionici (W e LaB6) in grado di operare in condizioni di alto e basso vuoto.
Specifiche Tecniche
La serie VEGA3 è disponibile con 4 camere di dimensioni e movimentazioni del tavolino diverse: SB, LM, XM e GM.
Tutte le camere dispongono di numerose porte per tecniche accessorie e hanno una geometria ottimizzata per EDX, WDX e EBSD.
I microscopi sono dotati di un sofisticato controllo dell’elettrottica che consente di visualizzare il campione in ben 5 modalità differenti tra cui immagini stereoscopiche 3D di tipo “live”.
Caratteristiche Principali:
- Cannone Elettronico: Tungsteno o LaB6
- Risoluzione HV:
- Tungsteno – 3nm @ 30kV, 8nm @ 3kV
- LaB6 – 2nm @ 30kV, 5nm @ 3kV
- Risoluzione LV:
- Tungsteno – 3,5nm @ 30kV
- LaB6 – 2,5nm @ 30kV
- Vuoto in Camera: HV < 9 x 10-3 Pa, LV fino a 3 – 2000 Pa
- Ingrandimenti: fino a 1.000.000x
- Corrente di Fascio: da 1Pa a 2microA
Video
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Microscopi SEM ad Emissione di Campo per applicazioni di Imaging di alta risoluzione ed elevata versatiltà analitica.
Specifiche Tecniche
Microscopio elettronico a scansione con sorgente ad emissione di campo FE-SEM, progettato per ottenere alta risoluzione di fascio e immagini caratterizzate da un eccellente rapporto segnale/rumore.
Caratteristica peculiare del sistema è la possibilità di raggiungere alte risoluzioni anche con elevate correnti di fascio, divenendo quindi uno strumento indispensabile per coloro che sono interessato all’analisi composizionale (EDX, WDX, EBSD). Inoltre la tecnologia BDT (Beam Deceleration Technology) garantisce l’ottenimento di altissime risoluzione anche alle bassissime tensioni di accelerazione.
Caratteristiche Principali:
- Cannone Elettronico: Schottky FEG
- Risoluzione HV: 1nm @ 30kV, 1,5nm @ 3kV (BDM)
- Risoluzione LV: 1,5nm @ 30kV (LVSTD)
- Vuoto in Camera: HV < 9 x 10-3 Pa, LV da 7 a 500 Pa
- Ingrandimenti: fino a 1.000.000x
- Corrente di Fascio: da 1Pa a 200nA
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Microscopi SEM ad Emissione di Campo di classe UHR con caratteristiche di Imaging e analitiche top di gamma.
Specifiche Tecniche
Microscopio elettronico a scansione a Ultra-Alta risoluzione, con sorgente ad emissione di campo.
Il MAIA3 garantisce una risoluzione di 1nm a 1kV e di 0.7nm a 15kV.
Si caratterizza per un innovativo ed esclusivo sistema di rivelazione composto da 3 detectors di elettroni secondari (In-Beam SE, BDT SE, In-Chamber SE) e da tre detectors per gli elettroni retrodiffusi (Mid-Angle BSE, In-Beam LE-BSE, In-Chamber BSE).
Caratteristiche Principali:
- Cannone Elettronico: Schottky FEG
- Risoluzione HV: 0,7nm @ 15kV, 1,0nm @ 1kV (BDM)
- Risoluzione LV: 2nm @ 30kV (BSE)
- Vuoto in Camera: HV < 9 x 10-3 Pa, LV da 7 a 500 Pa
- Ingrandimenti: fino a 1.000.000x
- Corrente di Fascio: da 2Pa a 400nA
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Sistema a doppio fascio FIB-SEM per applicazioni di nanotecnologia e nanofabbricazioni.
Specifiche Tecniche
Sistema a doppio fascio composto da una colonna FE-SEM ad alta risoluzione abbinata ad una colonna FIB, versatile e ad alte prestazioni, dotata di una sorgente a ioni di Gallio.
LYRA3 è un sistema progettato per la preparazione di cross-sections, lamelle TEM e per la tomografia ad alta risoluzione per la successiva ricostruzione 3D.
Nel LYRA 3 sono implementati i dispositivi per la litografia sia ionica che elettronica e per la microscopia correlativa.
Caratteristiche Principali:
- Cannone Elettronico: Schottky FEG
- Risoluzione HV: 1,0nm @ 30kV, 1,8nm @ 3kV (BDM)
- Risoluzione LV: 1,5nm @ 30kV (LVSTD)
- Vuoto in Camera: HV < 9 x 10-3 Pa, LV da 7 a 500 Pa
- Ingrandimenti: fino a 1.000.000x
- Corrente di Fascio: da 1pA a 200nA
- Cannone Ionico LMIG: Sorgente agli Ioni di Gallio
- Tensione di Accelerazione: 0,5kV fino a 30kV
- Corrente di Fascio Ionico: 1pA fino a 50nA
- Risoluzione: < 2,5nm @ 30kV al punto di coincidenza FIB-SEM
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GAIA3
Sistemi FIB-SEM con colonna Ionica al Gallio ed Elettronica UHR
Sistema a doppio fascio FIB-SEM per applicazioni di nanotecnologia e nanofabbricazioni con elevatissime prestazioni di Imaging.
Specifiche Tecniche
Sistema a doppio fascio composto da una colonna FE-SEM con tecnologia TriglavTM di classe UHR abbinata ad una colonna FIB, versatile e ad alte prestazioni, dotata di una sorgente a ioni di Gallio.
GAIA3 è un sistema di punta progettato per la preparazione di cross-sections, lamelle TEM e per la tomografia ad alta risoluzione con successiva ricostruzione 3D.
Nel GAIA3 sono implementati i dispositivi ed i software per eseguire la litografia sia ionica che elettronica e per la microscopia correlativa.
Caratteristiche Principali:
- Cannone Elettronico: Schottky FEG
- Risoluzione HV: 0,7nm @ 15kV, 1,0nm @ 1kV (BDM)
- Risoluzione LV: 2nm @ 30kV (BSE)
- Vuoto in Camera: HV < 9 x 10-3 Pa, LV da 7 a 500 Pa
- Ingrandimenti: fino a 1.000.000x
- Corrente di Fascio: da 2Pa a 400nA
- Cannone Ionico LMIG: Sorgente agli Ioni di Gallio
- Tensione di Accelerazione: 0,5kV fino a 30kV
- Corrente di Fascio Ionico: 1pA fino a 50nA
- Risoluzione: < 2,5nm @ 30kV al punto di coincidenza FIB-SEM
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